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增透膜

顶层膜

蒸镀材料

蒸镀材料 (EURACOAT)

材料物性表

材料	化学式	密度 (g/cm³)	蒸发温度	折射率 500mm	蒸发源
Aluminum oxide	AI2O3	4.0	2400 ~ 2500	1.64	E
Silicon dioxide	SiO2	2.2	1600 ~ 1700	1.46	E
Titanium dioxide	TiO2	4.8	1800 ~ 2200	2.35	E
Zirconium oxide	ZrO2	5.5	2700 ~ 2850	2.05	E,W
Titanium Pentoxide	Ti3O5	4.0	2400 ~ 2450	2.31	E,W
source E : electron beam, W : tungsten boat, Mo : molybdenum boat, Ta : tantalum boat

参考数据

투과표2
ar-coat(evaporation_graph2)_09

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AI2O3

Al2O3 超加硬防水药 (蒸镀材料)

> 化学式 : AI2O3
> CAS No. : 1344-28-1
> 颜色 : 无色透明
> 规格 : 1~3mm

物理性质 (at 25℃)

比重	3.97
晶体结构	六边形
熔点 (℃)	2053
沸腾点	2977
比热 (cal/g ℃)	0.18
线膨胀系数 (cal/cm,s,℃)	0.06
透过波长领域 (㎛)	0.2 – 7.0
可溶性	未明确

实验条件

蒸着温度(℃)	2400 ~ 2500
蒸发源	电子枪

蒸发测试条件

设备	设备直径 Φ800
蒸着距离 (mm)	700
基本温度 (℃)	300
蒸发量 (Å/S)	10
蒸着开始真空度(Torr)	5X10⁻⁶
蒸着真空度(Torr)	2X10⁻⁵ 充氧气
被蒸着基板	S-LAM66
电子枪条件设定	AMP	Emission
预热	5.5	350
蒸发	0	230-240
* a/4 at 500nm

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SiO2

技术资料数据 SiO2 (蒸发材料)

> 化学式 : SiO2
> CAS No. : 7631-86-9
> 颜色 : 透明白色
> 形状 : 1~3mm
> 不定型颗粒状, Φ30~10 片状

物理性质 (at 25℃)

分子式	60.09
比重	2.2
构造	不定型
熔点 (℃)	1700
沸腾点	Indistinct
比热 (10X-6)	0.55
透过波长领域 (㎛)	0.2 – 9.5

实验条件

蒸着温度(℃)	1600 ~ 1700
蒸发源	电子枪

蒸着实验

镀膜装置	Chamber Φ800
蒸发方式	电子枪
蒸着距离 (mm)	700
基本温度 (℃)	70 or 300
蒸着率 (Å/S)	20
蒸着开始真空度(Torr)	5X10⁻⁶
蒸着真空度(Torr)	2X10⁻⁵
被蒸着基板	S-LAM66
电子枪条件设定	AMP	Emission	Time
预热	6.0	160	0′ 30″
蒸发	6	100-120	*0′ 40″
* a/4 at 500nm

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TiO2

技术资料数据 TiO2 (蒸发材料)

> 化学式 : TiO2
> Synonym : Titanium(IV) oxide
> CAS No. : 13463-67-7
> 颜色 : 黑色
> 形状 : 1~3mm
> 不定型颗粒状, Φ9X5R 片状

物理性质 (at 25℃)

分子式		79.89
比重		4.23
结构		金红石
熔点 (℃)		1855
线膨胀系数 (x10-6)		8.22
透过波长领域 (㎛)		0.43 – 6.2
纯度	Titanium dioxide (TiO2)	99.99 min
	Chromium (Cr)	0.001 max.
	Cobalt (Co)	0.0005 max.
	Copper (Cu)	0.001 max.
	Iron (Fe)	0.005 max.
	Vanadium (V)	0.0005 max.

实验条件

蒸着温度(℃)	1800 ~ 2000
蒸发源	电子枪
沉降速率	10nm/sec. in the best condition

蒸着实验

镀膜装置	Chamber Φ800
蒸发方式	电子枪
蒸着距离 (mm)	700
基板温度 (℃)	300
蒸着真空度(Torr)	2X10⁻⁵
被蒸着基板	S-BSL7

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ZrO2

技术资料数据 ZrO2 (蒸发材料)

> 化学式 : ZrO2
> CAS No. : 1314-23-4
> 颜色 : 白色
> 形状 : 1~3mm 不定型
> 颗粒]状 : Φ18X12 / 10 / 8, Φ14X10, Φ24X18, 等

物理性质 (at 25℃)

分子式	123.22%
比重	5
构造	单斜晶系
熔点 (℃)	2700
沸腾点	4300
线膨胀系数 (x10-6)	7.2
透过波长领域 (㎛)	0.35 – 7

实验条件

蒸着温度(℃)	2700 ~ 2850
蒸发源	电子枪, 钨舟

蒸着实验

镀膜装置	Chamber Φ800
蒸发方式	电子枪
蒸着距离 (mm)	700
基本温度 (℃)	70 or 300
蒸发量 (Å/S)	10
蒸着开始真空度(Torr)	5X10⁻⁶
蒸着真空度(Torr)	2X10⁻⁵
被蒸着基板	S-BSL7
电子枪条件设定	AMP	Emission	Time
预热	6.0	160	0′ 30″
蒸发	6	100-120	*0′ 40″
* a/4 at 500nm

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Ti3O5

技术资料数据 Ti3O5 (蒸发材料)

> 化学式 : Ti3O5
> CAS No. : 12065-65-5
> 颜色 : 金色 / 黑色
> 形状 : 1~3mm
> 不定型颗粒状, 0.1~3mm

物理性质 (at 25℃)

分子式	223.7
比重	4.0
构造	单斜晶系
熔点 (℃)	1800
沸腾点	No data
线膨胀系数 (10X-6)	No data
透过波长领域 (㎛)	0.4 – 10.0

实验条件

蒸着温度(℃)	2400 ~ 2450
蒸发源	电子枪

蒸着实验

镀膜装置	Chamber Φ1350
镀膜装置	电子枪
蒸着距离 (mm)	710
基本温度 (℃)	300
蒸发量 (Å/S)	No data
蒸着开始真空度(Torr)	No data
蒸着真空度(Torr)	2X10⁻⁵
被蒸着基板	S-BSL7
电子枪条件设定	AMP	Emission	Time
预热	4.0	370	0′ 30″
蒸发	0	350-360	*1′ 00″
* a/4 at 500nm

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Canon Optron

Canon Optron Inc. (Japan)

镀膜材料的物理性质

品名	分子式	蒸发温度(℃)	折射率 500mm	蒸发源
Aluminum oxide	AI2O3	2400	1.64	E
Antimony oxide	Sb2O3	460	2.1	E, W
Bismuth oxide	Bi2O3	-*	109	E, W, Ta
Cerium oxide	CeO2	1850	2.13	E, W
Chromium oxide	Cr2O3	1400	-*	E, W
Europium oxide	Eu2O3	1765	1.9	E, W
Germanium oxide	GeO2	-*	-*	E
Hafnium oxide	HfO2	2750	2	E
Iron oxide	Fe2O3	-*	-*	E, W
Indium oxide	In2O3	1875	1.9	E, W
Lanthanum oxide	La2O3	-*	2	E, W, Ta
Lead oxide	PbO	740	-*	W
Magnesium oxide	MgO	2800	1.72	E, W
Molybdenum oxide	MoO3	590	1.9	Mo
Neodymium oxide	Nd2O3	1800	2.15	E, W
Niobium oxide	Nb2O5	-*	2.2	E
Praseodynium oxide	Pr6O11	2000	1.93	E, W
Samarium oxide	Sm2O3	1950	1.9	E, E
Scandium oxide	Sc2O3	-*	1.9	E, W
Silicon oxide(monoxide)	SiO	1080	1.9	E, Mo, Ta
Silicon oxide(dioxide)	SiO2	1600	1.46	E
Tantalum oxide	Ta2O5	-*	2.1	E, W
Tin oxide	SnO2	570	2	Mo, Ta
Titanium oxide(monoxide)	TiO	1800	2.35	E, W
Titanium oxide(trioxide)	Ti2O3	2400	2.34	E, W
Titanium oxide(dioxide)	TiO2	1800	2.35	E
Tungsten oxide	WO3	-*	1.68	E, W
Ytterbium oxide	Yb2O3	-*	1.93	E, W
Yttrium oxide	Y2O3	2300	1.87	E
Zinc oxide	ZnO	-*	2.1	E
Zirconium oxide	ZrO2	2700	2.05	E, W
I.T.O.	In2O+SnO2	-*	2	E, W ,Ta
OH-5	-*	1550	2.13	E, W
OM-4	-*	2400	1.66 1.69	E
OM-6	-*	2420	1.70 1.75	E
OS-10	Ti4O7	2400	2.34	E, W
OS-50	Ti3O5	2400	2.31	E,W
Aluninum fluoride	AlF3	1000	1.4	Mo,Ta
Barium fluoride	BaF2	1300	1.3	E,W,Mo,Ta
Calcium fluoride	CaF2	1400	1.4	W,Mo,Ta
Cerium fluoride	CeF2	1330	1.63	E,W,Ta
Chiolite	Na5Al3F14	1130	1.33	E,W,Ta
Cryolite	Na3AlF6	900	1.35	E,W,Ta
Lanthanum fluoride	LaF3	1300	1.59	E,W,Ta
Lead fluoride	PbF2	600	1.75	W,Mo
Lithium fluoride	LiF	850	1.36	Mo,Ta
Magnesium fluoride	MgF2	1060	1.38	E,W,Mo,Ta
Neodymium fluoride	NdF3	1060	1.38	Mo,Ta
Samarium fluoride	SmF3	1285	1.55	E,Ta
Samarium fluoride	SmF3	1250	1.6	W,Mo,Ta
Sodium fluoride	NaF	830	1.3	E,Mo,Ta
Strontium fluoride	SrF2	1370	1.4	E,Mo,Ta
Yttrium fluoride	YF3	1250	1.52	E
Zine sulfide	ZnS	1000	2.3	E,Mo,Ta
Aluminum	Al	-*	-*	E,W
Germanium	Ge	1200	4	E,W
Silicon	Si	1300	3.3	E
-* 数据未明确
蒸发源 E : 电子束, W : 钨舟, Mo : 钼舟, Ta : 钽舟